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2017年清华大学微电子832考研真题回忆

  【摘要】今年整体来说比较难吧,我个人觉得难,器件重半导体物理部分,后面的器件基本没怎么考,模点比以往偏,没有考差分运放,重在运算放大器的部分,数电前面简单,但是最后一题也比较难。下面详细回忆下。

  共11道题,前面器件,后模电,最后数电。

  ►第一道,让分析半导体的电阻率随温度的变化关系,画出曲线并分析。

  ►第二道,是半导体物理,告诉导带底和价带顶的能量与波矢的关系,求禁带宽度,空穴和电子的有效质量,还有电子从价带顶跃迁到导带底时的准动量变化。

  ►第三道,是一道计算扩散电流的题,还算简单,第二问求要使得电流为零所需加的电场强度。

  ►第四道,是mos管电流的计算,但是最后一问考了速度饱和,写个没复习,不知道怎么算。

  器件好像就这么几道其他的想不起来了。

  模电具体的题号我都忘了,只能说说考了那些点,

  首先2011年的真题原题又考了,

  ►第五题,有好几道简单的问答题,1.问BJT与MOS管的跨导电流比,为什么BTJ要大,2.饱和时的cmos小型号等效电路图,3.让根据一个电路图设计电路,这次应该是一个积分运算电路,4.根据一个电路图分析一个二极管的导痛还是截止,5.一个运放后面接一个mos管然后构成一个负反馈,分别在漏级和源级有两个输出电压,第一问判断输出极性和反馈组态,后面求对于两个输出电压的增益。

  ►第六题,是一个含有三个运算放大器组成的电路,让求各个电压,还有在不同的频率下的输出电压的幅值。这题比较难,分值最大25分,

  还有什么我想不起来了,接下来的数电

  1.还是给两个二进制数,让求原码反码补码,求和,

  2.根据给的输出函数,用卡洛图化简电路图

  3.给一个触发器的时序图,让判断什么类型的触发器,触发方式是电平还是脉冲,

  4.给了一个38译码器和2位数据选择器求输出函数的表达式,并列出真值表。

  5.让设计产生11位序列的序列发生器。

  整体来说今年比去年难了好多,复习的重点反而没考,比如器件的pn结,mos管的阈值电压,三极管的计算都没考,重点在半导体物理部分,模电和以往也不一样,没有简单mos放大电路,也没有考差分运放,波特图等,重点是运算放大器的计算。只有数电和往年差不多,只是最后一题依然做不来。。。

  唉,考研也就这样了,来攒一波人品,只求过线啊。

  (实习小编小谭,真正的才智是刚毅的志向。)
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